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高通骁龙835跑分泄露:CPU八核2.2GHz GPU提升30%

发布人:李婷 发布时间:2016-12-08 浏览次数:2529 评论次数:0 我要投稿







  11 月底的时候,手机芯片行业的佼佼者高通,正式发布了最新旗舰级移动处理器 Snapdragon 835,并表示该芯片是为 2017 年旗舰智能手机准备的芯片。不过,高通基本上没有公布骁龙835 相关细节,只表示这是最早一批采用了三星最尖端、最具有革命性的 10 纳米 FinFET 工艺技术的芯片,其他关于 CPU 内核设计,或者 GPU 图形处理器单元都没有详情。

  不过,既然是旗舰芯片关注度高,因此进入了测试阶段,总会有细节泄露出来。威锋网 12 月 8 日消息,日前,GFXBench 跑分数据库网站悄然出现了一份 Snapdragon 835 芯片的信息。据称,该芯片并非在零售版移动设备上运行,而是高通率先为开发者准备的开发设备,但是更多信息已经出炉。

  根据 GFXBench 测出信息了解,Snapdragon 835 是一枚八核心设计的处理器,主频为 2.2GHz,所集成的图形处理器单元是 Adreno 540 GPU。不得不说,Adreno 540 的提升令人相对满意,从跑分结果来看,相比上一代 Adreno 530 GPU 的图形处理性能增强了 30% 左右。有可能这就是高通所说的 10 纳米的功劳,提升频率但功耗也不会增加。

  很遗憾,GFXBnech 没有更多值得一看的信息了,我们知道开发样机采用了 5.9 英寸的屏幕设计,分辨率为 2560×1440 像素,板载 4GB 运存和 64GB 储存,配备 2000 万像素的摄像头。无论如何,上述这些细节只是早期的样品数据,所以不能对等于最终正式版本,因为高通可能在量产的那一刻已经做了性能调整,尤其是处理频率的改动。

  高通之前表示,在三星新 10 纳米 FinFET 工艺的帮助下,Snapdragon 835 与其上一代 14 纳米 FinFET 工艺相比,新的骁龙芯片尺寸在减少了 30% 基础上,还能实现 27% 的性能提升或高达 40% 的功耗降低。

  另外,高通已经确认,2017 年上半年搭载 Snapdragon 835 处理器的终端产品即可出货。不出意外的话,明年 2 月份的 MWC 世界移动通信大会上,将有一大波基于骁龙 835 设计的旗舰正式登场。




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[消息来源]:威锋网


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